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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng)，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì)，加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

  • 隨著游戲要求越來越高，DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴(kuò)大。
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期

  • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力

  • 圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱：紫光國(guó)芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國(guó)芯聚焦人工智能、高性能計(jì)算、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶提供全方面的存儲(chǔ)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%

  • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補(bǔ)庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計(jì)智能手機(jī)
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過一半（即561個(gè)）為良
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云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%

  • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為L(zhǎng)LM及AI建?；A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外，因AI PC或NB在計(jì)算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預(yù)期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對(duì)后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營(yíng)運(yùn)未受任何影響

  • 中國(guó)臺(tái)灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢(shì)快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺(tái)中廠火警廠區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。 臺(tái)中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報(bào)，中國(guó)臺(tái)灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達(dá)時(shí)廠區(qū)人員已將火勢(shì)撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，美光針對(duì)臺(tái)中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。美光是國(guó)際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計(jì)市占達(dá)96％。美光高達(dá)65％的DRAM產(chǎn)品在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)，
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ddr5 dram介紹

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