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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

  • 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

  • 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運(yùn)行速度高達(dá)每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計(jì)、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計(jì)并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

  • DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

  • 近日，北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計(jì)21nm的今年年底會(huì)推出，20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出，后續(xù)還會(huì)繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲(chǔ)中各類市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲(chǔ)產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費(fèi)類市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲(chǔ)價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

  • 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

  •  10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算

  • 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動(dòng)駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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美光推出內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的超高速DDR5內(nèi)存系列新品，為AI PC的發(fā)展注入動(dòng)力

  • ?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的全新類型內(nèi)存，即?Crucial??英睿達(dá)??DDR5?時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器無緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊?(CUDIMM)?和時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器小型雙列直插式內(nèi)存模塊?(CSODIMM)，并已開始批量出貨。這兩款全新內(nèi)存均符合?JEDEC?標(biāo)準(zhǔn)，運(yùn)行速度高達(dá)?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展。”公司以1b DRAM
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢(shì)等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì)，加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
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ddr5 dram介紹

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